Ang pormulasyon para sa magaspang, katamtaman, at pinong mga particle ng SiC ay dapat na 5:1:4. Karaniwang pinipili ang Black SiC bilang hilaw na materyal para sa paggawa ng mga silicon carbide brick; ang kemikal na komposisyon nito ay ang mga sumusunod: SiC 98.0%, libreng C 0.5%, Fe 0.2%, at libreng SiO₂ 0.6%. Ang mga proseso ng paggawa ay nag-iiba depende sa paraan ng pagbubuklod. Ang mga maikling balangkas ng mga proseso para sa iba't ibang paraan ng pagbubuklod ay ang mga sumusunod:
(1). Gumagawa ito ng brick na may -SiC skeleton at isang - at -Si₃N₄ matrix. Maliit na halaga ng natitirang silikon at SiO₂ ay nananatili sa matrix; ang relatibong nilalaman ng mga bahaging ito ay nag-iiba ayon sa tagagawa.
(2) Silicon carbide brick: Ang SiC, silicon powder, at carbon powder ay pinaghalo at hinuhubog ayon sa isang partikular na ratio, pagkatapos ay pinaputok sa 1400℃sa isang pagbabawas ng kapaligiran. Sa karamihan ng mga kaso, ang pagpapaputok ay isinasagawa gamit ang mga brick na nakabaon sa carbon. Sa panahon ng pagpapaputok, isang brick na may -SiC skeleton at isang pinong-grained -SiC matrix ay ginawa. Ang -SiC ay nabuo sa pamamagitan ng reaksyon ng pinong silicon powder na may pinong carbon powder habang nagpapaputok; ang produktong ito ay naglalaman din ng maliit na halaga ng natitirang silikon at carbon.
(3) Silicon oxynitride-bonded silicon carbide brick: Kapag inihahanda ang batch para sa mga brick na ito, ang proporsyon ng pinong silicon powder na ginamit ay mas mababa kaysa sa silicon carbide.